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STGBL6NC60DT4

STGBL6NC60DT4

참조 용

부품 번호 STGBL6NC60DT4
PNEDA 부품 번호 STGBL6NC60DT4
설명 IGBT 600V 14A 56W D2PAK
제조업체 STMicroelectronics
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STGBL6NC60DT4 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGBL6NC60DT4
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGBL6NC60DT4, STGBL6NC60DT4 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 742.51 KB)
PDFSTGPL6NC60D 데이터 시트 표지
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  • STGBL6NC60DT4 Distributor

STGBL6NC60DT4 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈PowerMESH™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)14A
전류-수집기 펄스 (Icm)18A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.9V @ 15V, 3A
전력-최대56W
에너지 전환46.5µJ (on), 23.5µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지12nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C6.7ns/46ns
테스트 조건390V, 3A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)50ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지D2PAK

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

8.5A

전류-수집기 펄스 (Icm)

34A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 5A

전력-최대

38W

에너지 전환

80µJ (on), 160µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

15nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19ns/116ns

테스트 조건

480V, 5A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-Pak

IRG4BC20FD-STRL

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

64A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 9A

전력-최대

60W

에너지 전환

250µJ (on), 640µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

27nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

43ns/240ns

테스트 조건

480V, 9A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

37ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

SGF40N60UFTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 20A

전력-최대

100W

에너지 전환

160µJ (on), 200µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

97nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/65ns

테스트 조건

300V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-3PF

FGPF30N45TTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

450V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 20A

전력-최대

50.4W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

73nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

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제조업체

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 40A

전력-최대

280W

에너지 전환

1.8mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

190nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/110ns

테스트 조건

480V, 40A, 2.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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