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STGD3NB60FT4

STGD3NB60FT4

참조 용

부품 번호 STGD3NB60FT4
PNEDA 부품 번호 STGD3NB60FT4
설명 IGBT 600V 6A 60W DPAK
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
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예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

STGD3NB60FT4 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGD3NB60FT4
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGD3NB60FT4, STGD3NB60FT4 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 757.86 KB)
PDFSTGP3NB60F 데이터 시트 표지
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STGD3NB60FT4 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈PowerMESH™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)6A
전류-수집기 펄스 (Icm)24A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 3A
전력-최대60W
에너지 전환125µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지16nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C12.5ns/105ns
테스트 조건480V, 3A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)45ns
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지DPAK

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

31A

전류-수집기 펄스 (Icm)

62A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 15A

전력-최대

208W

에너지 전환

220µJ (on), 340µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

56nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

34ns/184ns

테스트 조건

400V, 15A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

92ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

IRGP4066DPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

140A

전류-수집기 펄스 (Icm)

225A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

전력-최대

454W

에너지 전환

2.47mJ (on), 2.16mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

150nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/200ns

테스트 조건

400V, 75A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

155ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

HGTG20N60A4D

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

280A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 20A

전력-최대

290W

에너지 전환

105µJ (on), 150µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

142nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/73ns

테스트 조건

390V, 20A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

35ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

FGH40T65SQD_F155

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

전력-최대

238W

에너지 전환

138µJ (on), 52µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

80nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16.4ns/86.4ns

테스트 조건

400V, 10A, 6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

31.8ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

제조업체

IXYS

시리즈

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

62A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

전력-최대

210W

에너지 전환

1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

190nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/70ns

테스트 조건

480V, 40A, 2.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

35ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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공급자 장치 패키지

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