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STGFW30H65FB

STGFW30H65FB

참조 용

부품 번호 STGFW30H65FB
PNEDA 부품 번호 STGFW30H65FB
설명 IGBT 650V 60A 58W TO3PF
제조업체 STMicroelectronics
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STGFW30H65FB 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGFW30H65FB
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGFW30H65FB, STGFW30H65FB 데이터 시트 (총 페이지: 20, 크기: 1,687.7 KB)
PDFSTGW30H65FB 데이터 시트 표지
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STGFW30H65FB 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)60A
전류-수집기 펄스 (Icm)120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 15V, 30A
전력-최대58W
에너지 전환151µJ (on), 293µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지149nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C37ns/146ns
테스트 조건400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3PFM, SC-93-3
공급자 장치 패키지TO-3PF-3

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Thunderbolt IGBT®

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

110A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 50A

전력-최대

446W

에너지 전환

995µJ (on), 1070µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

240nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

14ns/240ns

테스트 조건

400V, 50A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

22ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

APT50GS60BRDQ2G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Thunderbolt IGBT®

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

93A

전류-수집기 펄스 (Icm)

195A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.15V @ 15V, 50A

전력-최대

415W

에너지 전환

755µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

235nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/225ns

테스트 조건

400V, 40A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

25ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

IRGP4266-EPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

140A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

전력-최대

450W

에너지 전환

3.2mJ (on), 1.7mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

210nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

80ns/200ns

테스트 조건

400V, 75A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

NGTB30N60FLWG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

전력-최대

250W

에너지 전환

700µJ (on), 280µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

170nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

83ns/170ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

72ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

90A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 50A

전력-최대

328.9W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

63ns/142ns

테스트 조건

400V, 30A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

90ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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