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STGW60H65DF

STGW60H65DF

참조 용

부품 번호 STGW60H65DF
PNEDA 부품 번호 STGW60H65DF
설명 IGBT 650V 120A 360W TO247
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 6,426
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

STGW60H65DF 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGW60H65DF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGW60H65DF, STGW60H65DF 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 1,920.25 KB)
PDFSTGW60H65DF 데이터 시트 표지
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STGW60H65DF 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)120A
전류-수집기 펄스 (Icm)240A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 60A
전력-최대360W
에너지 전환1.5mJ (on), 1.1mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지206nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C67ns/165ns
테스트 조건400V, 60A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)62ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247

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제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

Alpha IGBT™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

120A

전류-수집기 펄스 (Icm)

180A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 60A

전력-최대

500W

에너지 전환

2.42mJ (on), 1.17mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

90nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

39ns/153ns

테스트 조건

400V, 60A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

288ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

IRG4PSH71KPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

78A

전류-수집기 펄스 (Icm)

156A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 42A

전력-최대

350W

에너지 전환

2.35mJ (on), 3.14mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

410nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

45ns/220ns

테스트 조건

960V, 42A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-274AA

공급자 장치 패키지

SUPER-247™ (TO-274AA)

IKB20N60TAATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop™

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 20A

전력-최대

156W

에너지 전환

310µJ (on), 460µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

120nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/199ns

테스트 조건

600V, 20A, 12Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

41ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263AB)

APT70GR65B2SCD30

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

134A

전류-수집기 펄스 (Icm)

260A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 70A

전력-최대

595W

에너지 전환

-

입력 유형

-

게이트 차지

305nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19ns/170ns

테스트 조건

433V, 70A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

T-MAX™ [B2]

NGTB50N60FWG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 50A

전력-최대

223W

에너지 전환

1.1mJ (on), 1.2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

310nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

117ns/285ns

테스트 조건

400V, 50A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

77ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

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