STGW60H65DRF
참조 용
| 부품 번호 | STGW60H65DRF | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | STGW60H65DRF | ||||||||||||||||||
| 설명 | IGBT 650V 120A 420W TO247 | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | STMicroelectronics | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 1,140 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 3월 27 - 4월 1 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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STGW60H65DRF 리소스
| 브랜드 | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | STGW60H65DRF |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-IGBT-단일 |
| 데이터 시트 |
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STGW60H65DRF 사양
| 제조업체 | STMicroelectronics |
| 시리즈 | - |
| IGBT 유형 | Trench Field Stop |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 650V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 120A |
| 전류-수집기 펄스 (Icm) | 240A |
| Vce (on) (최대) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 60A |
| 전력-최대 | 420W |
| 에너지 전환 | 940µJ (on), 1.06mJ (off) |
| 입력 유형 | Standard |
| 게이트 차지 | 217nC |
| Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C | 85ns/178ns |
| 테스트 조건 | 400V, 60A, 10Ohm, 15V |
| 역 복구 시간 (trr) | 19ns |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
| 공급자 장치 패키지 | TO-247 |
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제조업체 STMicroelectronics 시리즈 PowerMESH™ IGBT 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 600V 전류-수집기 (Ic) (최대) 21A 전류-수집기 펄스 (Icm) 25A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 1.65V @ 15V, 5A 전력-최대 62.5W 에너지 전환 60µJ (on), 340µJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 18nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 19ns/160ns 테스트 조건 390V, 5A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220AB |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 PowerMESH™ IGBT 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 420V 전류-수집기 (Ic) (최대) 30A 전류-수집기 펄스 (Icm) 40A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 1.7V @ 4.5V, 10A 전력-최대 150W 에너지 전환 - 입력 유형 Logic 게이트 차지 29nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 650ns/13.5µs 테스트 조건 300V, 10A, 5V 역 복구 시간 (trr) - 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220 |
