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STGW80H65FB

STGW80H65FB

참조 용

부품 번호 STGW80H65FB
PNEDA 부품 번호 STGW80H65FB
설명 IGBT 650V 120A 469W TO-247
제조업체 STMicroelectronics
단가
1 ---------- $44.8891
100 ---------- $42.7849
250 ---------- $40.6807
500 ---------- $38.5766
750 ---------- $36.8231
1,000 ---------- $35.0696
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STGW80H65FB 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGW80H65FB
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGW80H65FB, STGW80H65FB 데이터 시트 (총 페이지: 18, 크기: 1,470.34 KB)
PDFSTGW80H65FB 데이터 시트 표지
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STGW80H65FB 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)120A
전류-수집기 펄스 (Icm)240A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 15V, 80A
전력-최대469W
에너지 전환2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지414nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C84ns/280ns
테스트 조건400V, 80A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247-3

관심을 가질만한 제품

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

7.8A

전류-수집기 펄스 (Icm)

15.6A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 3A

전력-최대

52W

에너지 전환

62µJ (on), 39µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

13nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/110ns

테스트 조건

400V, 3A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

77ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-Pak

STGWA8M120DF3

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

M

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

32A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 8A

전력-최대

167W

에너지 전환

390µJ (on), 370µJ (Off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

32nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/126ns

테스트 조건

600V, 8A, 33Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

103ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 Long Leads

STGB20V60DF

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 20A

전력-최대

167W

에너지 전환

200µJ (on), 130µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

116nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

38ns/149ns

테스트 조건

400V, 20A, 15V

역 복구 시간 (trr)

40ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

900V

전류-수집기 (Ic) (최대)

64A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 32A

전력-최대

300W

에너지 전환

2.6mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

89nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/260ns

테스트 조건

720V, 32A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

IHW50N65R5XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop®

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 50A

전력-최대

282W

에너지 전환

740µJ (on), 180µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

230nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

26ns/220ns

테스트 조건

400V, 25A, 8Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

95ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

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