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STGW80V60F

STGW80V60F

참조 용

부품 번호 STGW80V60F
PNEDA 부품 번호 STGW80V60F
설명 IGBT 600V 120A 469W TO247
제조업체 STMicroelectronics
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STGW80V60F 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGW80V60F
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGW80V60F, STGW80V60F 데이터 시트 (총 페이지: 19, 크기: 1,642.39 KB)
PDFSTGWT80V60F 데이터 시트 표지
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STGW80V60F 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)120A
전류-수집기 펄스 (Icm)240A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 80A
전력-최대469W
에너지 전환1.8mJ (on), 1mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지448nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C60ns/220ns
테스트 조건400V, 80A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247-3

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

90A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

전력-최대

385W

에너지 전환

2.11mJ (on), 1.18mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

157nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/229ns

테스트 조건

600V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

153ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

IXBK55N300

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

130A

전류-수집기 펄스 (Icm)

600A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 55A

전력-최대

625W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

335nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

1.9µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264

IRGP50B60PD1PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.85V @ 15V, 50A

전력-최대

390W

에너지 전환

255µJ (on), 375µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

205nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/130ns

테스트 조건

390V, 33A, 3.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

42ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

FGA6540WDF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

전력-최대

238W

에너지 전환

1.37mJ (on), 250µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

55.5nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16.8ns/54.4ns

테스트 조건

400V, 40A, 6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

101ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3PN

RJH60D7BDPQ-E0#T2

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

90A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 50A

전력-최대

300W

에너지 전환

700µJ (on), 1.4mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

125nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

60ns/180ns

테스트 조건

300V, 50A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

25ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

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