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STGWA25H120DF2

STGWA25H120DF2

참조 용

부품 번호 STGWA25H120DF2
PNEDA 부품 번호 STGWA25H120DF2
설명 IGBT HB 1200V 25A HS TO247-3
제조업체 STMicroelectronics
단가
1 ---------- $47.2242
100 ---------- $45.0106
250 ---------- $42.7969
500 ---------- $40.5833
750 ---------- $38.7386
1,000 ---------- $36.8939
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STGWA25H120DF2 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGWA25H120DF2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGWA25H120DF2, STGWA25H120DF2 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 730.34 KB)
PDFSTGW25H120DF2 데이터 시트 표지
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STGWA25H120DF2 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)50A
전류-수집기 펄스 (Icm)100A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 25A
전력-최대375W
에너지 전환600µJ (on), 700µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지100nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C29ns/130ns
테스트 조건600V, 25A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)303ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247-3

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IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

36A

전류-수집기 펄스 (Icm)

45A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 15A

전력-최대

250W

에너지 전환

585µJ (on), 260µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

105nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

10ns/85ns

테스트 조건

800V, 15A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

STGF4M65DF2

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

M

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전류-수집기 펄스 (Icm)

16A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 4A

전력-최대

23W

에너지 전환

40µJ (on), 136µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

15.2nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/86ns

테스트 조건

400V, 4A, 47Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

133ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220FP

NGTB15N120FLWG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 15A

전력-최대

156W

에너지 전환

1.17mJ (on), 550µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

150nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

72ns/168ns

테스트 조건

600V, 15A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

166ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

HGT1S2N120CN

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

13A

전류-수집기 펄스 (Icm)

20A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 2.6A

전력-최대

104W

에너지 전환

96µJ (on), 355µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

30nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/205ns

테스트 조건

960V, 2.6A, 51Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

공급자 장치 패키지

TO-262

IRG7PH35UDPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 20A

전력-최대

180W

에너지 전환

1.06mJ (on), 620µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

85nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/160ns

테스트 조건

600V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

105ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

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