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STGWA40H120DF2

STGWA40H120DF2

참조 용

부품 번호 STGWA40H120DF2
PNEDA 부품 번호 STGWA40H120DF2
설명 TRENCH GATE IGBT TO247 PKG
제조업체 STMicroelectronics
단가
1 ---------- $54.4938
100 ---------- $51.9394
250 ---------- $49.3850
500 ---------- $46.8306
750 ---------- $44.7020
1,000 ---------- $42.5733
재고 있음 3,040
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STGWA40H120DF2 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGWA40H120DF2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGWA40H120DF2, STGWA40H120DF2 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 819.58 KB)
PDFSTGWA40H120DF2 데이터 시트 표지
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STGWA40H120DF2 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)80A
전류-수집기 펄스 (Icm)160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 40A
전력-최대468W
에너지 전환1mJ (on), 1.32mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지158nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C18ns/152ns
테스트 조건600V, 40A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)488ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247-3

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제조업체

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시리즈

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

450A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 60A

전력-최대

540W

에너지 전환

1.4mJ (on), 1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

225nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

31ns/152ns

테스트 조건

480V, 50A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

140ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

STGW60V60F

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

240A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

전력-최대

375W

에너지 전환

750µJ (on), 550µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

334nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

60ns/208ns

테스트 조건

400V, 60A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

FGA50N100BNTTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT and Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 60A

전력-최대

156W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

257nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

34ns/243ns

테스트 조건

600V, 60A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

-

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 10A

전력-최대

150W

에너지 전환

1.2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

65nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/160ns

테스트 조건

1360V, 10A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

360ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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