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STGWA60NC60WDR

STGWA60NC60WDR

참조 용

부품 번호 STGWA60NC60WDR
PNEDA 부품 번호 STGWA60NC60WDR
설명 IGBT 600V 130A 340W TO247
제조업체 STMicroelectronics
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STGWA60NC60WDR 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGWA60NC60WDR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGWA60NC60WDR, STGWA60NC60WDR 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 779.33 KB)
PDFSTGWA60NC60WDR 데이터 시트 표지
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STGWA60NC60WDR 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈PowerMESH™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)130A
전류-수집기 펄스 (Icm)250A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 40A
전력-최대340W
에너지 전환743µJ (on), 560µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지195nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C40ns/240ns
테스트 조건390V, 40A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)42ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247 Long Leads

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제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

280A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 32A

전력-최대

400W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

142nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/160ns

테스트 조건

1250V, 32A, 2Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

1500ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268HV

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 50A

전력-최대

300W

에너지 전환

3.3mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

167nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

70ns/150ns

테스트 조건

480V, 50A, 2.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

50ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

FGD2N40L

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

전류-수집기 (Ic) (최대)

7A

전류-수집기 펄스 (Icm)

29A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 2.4V, 2.5A

전력-최대

29W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

11nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

47ns/650ns

테스트 조건

300V, 2.5A, 51Ohm, 4V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-Pak

IRG7PH46UPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

130A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

전력-최대

469W

에너지 전환

2.56mJ (on), 1.78mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

220nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

45ns/410ns

테스트 조건

600V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

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Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 60A

전력-최대

170W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

330ns/700ns

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

2.5µs

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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