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STGY80H65DFB

STGY80H65DFB

참조 용

부품 번호 STGY80H65DFB
PNEDA 부품 번호 STGY80H65DFB
설명 IGBT 650V 120A 469W MAX247
제조업체 STMicroelectronics
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

STGY80H65DFB 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGY80H65DFB
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGY80H65DFB, STGY80H65DFB 데이터 시트 (총 페이지: 22, 크기: 1,458.74 KB)
PDFSTGY80H65DFB 데이터 시트 표지
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STGY80H65DFB 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)120A
전류-수집기 펄스 (Icm)240A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 15V, 80A
전력-최대469W
에너지 전환2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지414nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C84ns/280ns
테스트 조건400V, 80A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)85ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지MAX247™

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop™

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 40A

전력-최대

230W

에너지 전환

770µJ (on), 160µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

193nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

42ns/432ns

테스트 조건

400V, 20A, 20Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

112ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

IRG4RC10UPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

8.5A

전류-수집기 펄스 (Icm)

34A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 5A

전력-최대

38W

에너지 전환

80µJ (on), 160µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

15nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19ns/116ns

테스트 조건

480V, 5A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-Pak

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

전력-최대

167W

에너지 전환

400µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/130ns

테스트 조건

400V, 30A, 3.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

25ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

ISOPLUS247™

공급자 장치 패키지

ISOPLUS247™

RGTH80TK65GC11

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

31A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

전력-최대

66W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

79nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

34ns/120ns

테스트 조건

400V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

7V @ 2.5V, 100A

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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