STL16N60M2
참조 용
| 부품 번호 | STL16N60M2 |
| PNEDA 부품 번호 | STL16N60M2 |
| 설명 | MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT |
| 제조업체 | STMicroelectronics |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,272 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 29 - 5월 4 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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STL16N60M2 리소스
| 브랜드 | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | STL16N60M2 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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STL16N60M2 사양
| 제조업체 | STMicroelectronics |
| 시리즈 | MDmesh™ M2 |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 600V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 8A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 355mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±25V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 704pF @ 100V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 52W (Tc) |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | PowerFlat™ (5x6) HV |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 STMicroelectronics 시리즈 MDmesh™ DK5 FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 950V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 38A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 130mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 100nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3480pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 450W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-247 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 - 기술 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SMCP 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 120mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.6V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 30Ohm @ 100mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) 500mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 E-Line (TO-92 compatible) 패키지 / 케이스 E-Line-3 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 QFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 3.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 52nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1850pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 198W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-3P 패키지 / 케이스 TO-3P-3, SC-65-3 |
