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STL7DN6LF3

STL7DN6LF3

참조 용

부품 번호 STL7DN6LF3
PNEDA 부품 번호 STL7DN6LF3
설명 MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 2,124
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STL7DN6LF3 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STL7DN6LF3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
STL7DN6LF3, STL7DN6LF3 데이터 시트 (총 페이지: 18, 크기: 987.1 KB)
PDFSTL7DN6LF3 데이터 시트 표지
STL7DN6LF3 데이터 시트 페이지 2 STL7DN6LF3 데이터 시트 페이지 3 STL7DN6LF3 데이터 시트 페이지 4 STL7DN6LF3 데이터 시트 페이지 5 STL7DN6LF3 데이터 시트 페이지 6 STL7DN6LF3 데이터 시트 페이지 7 STL7DN6LF3 데이터 시트 페이지 8 STL7DN6LF3 데이터 시트 페이지 9 STL7DN6LF3 데이터 시트 페이지 10 STL7DN6LF3 데이터 시트 페이지 11

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STL7DN6LF3 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)20A
Rds On (최대) @ Id, Vgs43mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs8.8nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds432pF @ 25V
전력-최대52W
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지PowerFlat™ (5x6)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.8A, 7.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

26.5mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1050pF @ 15V

전력-최대

3.57W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

PQFN (5x6)

EM6K7T2CR

Rohm Semiconductor

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Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

200mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 200mA, 2.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

25pF @ 10V

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

EMT6

NDS9948

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

250mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

394pF @ 30V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

SI7212DN-T1-E3

Vishay Siliconix

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Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

36mOhm @ 6.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® 1212-8 Dual

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

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