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STS17NH3LL

STS17NH3LL

참조 용

부품 번호 STS17NH3LL
PNEDA 부품 번호 STS17NH3LL
설명 MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
제조업체 STMicroelectronics
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재고 있음 6,732
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

STS17NH3LL 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STS17NH3LL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
STS17NH3LL, STS17NH3LL 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 342.64 KB)
PDFSTS17NH3LL 데이터 시트 표지
STS17NH3LL 데이터 시트 페이지 2 STS17NH3LL 데이터 시트 페이지 3 STS17NH3LL 데이터 시트 페이지 4 STS17NH3LL 데이터 시트 페이지 5 STS17NH3LL 데이터 시트 페이지 6 STS17NH3LL 데이터 시트 페이지 7 STS17NH3LL 데이터 시트 페이지 8 STS17NH3LL 데이터 시트 페이지 9 STS17NH3LL 데이터 시트 페이지 10 STS17NH3LL 데이터 시트 페이지 11

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STS17NH3LL 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈STripFET™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)17A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs5.7mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs24nC @ 4.5V
Vgs (최대)±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1810pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.7W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-SO
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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제조업체

Infineon Technologies

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

240V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

110mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.8V @ 56µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.1nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

77pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

360mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

패키지 / 케이스

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 24.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1.24mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

107nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4340pF @ 400V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

227W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

패키지 / 케이스

TO-247-3

SIHP12N65E-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

380mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

70nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1224pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

156W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

RJK0454DPB-00#J5

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.9mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2000pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

55W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

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180A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

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3mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

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Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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전력 손실 (최대)

300W (Tc)

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