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STS4DNF60

STS4DNF60

참조 용

부품 번호 STS4DNF60
PNEDA 부품 번호 STS4DNF60
설명 MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 2,142
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 5월 2 - 5월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

STS4DNF60 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STS4DNF60
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
STS4DNF60, STS4DNF60 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 324.51 KB)
PDFSTS4DNF60 데이터 시트 표지
STS4DNF60 데이터 시트 페이지 2 STS4DNF60 데이터 시트 페이지 3 STS4DNF60 데이터 시트 페이지 4 STS4DNF60 데이터 시트 페이지 5 STS4DNF60 데이터 시트 페이지 6 STS4DNF60 데이터 시트 페이지 7 STS4DNF60 데이터 시트 페이지 8 STS4DNF60 데이터 시트 페이지 9 STS4DNF60 데이터 시트 페이지 10 STS4DNF60 데이터 시트 페이지 11

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STS4DNF60 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈STripFET™
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs90mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs10nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds315pF @ 25V
전력-최대2W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

101mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

7.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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FET 유형

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30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

SSM6N15AFE,LM

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Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7.8pF @ 3V

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

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Vishay Siliconix

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시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20.5mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

950pF @ 15V

전력-최대

3.2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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Central Semiconductor Corp

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