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STTH504U

STTH504U

참조 용

부품 번호 STTH504U
PNEDA 부품 번호 STTH504U
설명 DIODE GEN PURP 400V 5A
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 4,230
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

STTH504U 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STTH504U
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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STTH504U 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈*
다이오드 유형-
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)-
전류-평균 정류 (Io)-
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
속도-
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr-
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-
작동 온도-접합-

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

40A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 40A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

20mA @ 10V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AB, DO-5, Stud

공급자 장치 패키지

DO-5

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Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

75V

전류-평균 정류 (Io)

300mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 50mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

4ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 75V

커패시턴스 @ Vr, F

4pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

공급자 장치 패키지

SOD-80 MiniMELF

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

1N3070-1

Microsemi

제조업체

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시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

175V

전류-평균 정류 (Io)

100mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AA, DO-7, Axial

공급자 장치 패키지

DO-7

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

JANTXV1N6623US

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/585

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

880V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.55V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 880V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SQ-MELF, A

공급자 장치 패키지

D-5A

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

JANTX1N5190

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 9A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

400ns

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

B, Axial

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