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STTH8L02DDJFY-TR

STTH8L02DDJFY-TR

참조 용

부품 번호 STTH8L02DDJFY-TR
PNEDA 부품 번호 STTH8L02DDJFY-TR
설명 DIODE ARRAY GP 200V 4A PWRFLAT
제조업체 STMicroelectronics
단가
1 ---------- $9.9994
100 ---------- $9.5306
250 ---------- $9.0619
500 ---------- $8.5932
750 ---------- $8.2026
1,000 ---------- $7.8120
재고 있음 4,468
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STTH8L02DDJFY-TR 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STTH8L02DDJFY-TR
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열

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  • STTH8L02DDJFY-TR Distributor

STTH8L02DDJFY-TR 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2
다이오드 구성2 Independent
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)4A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 8A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)40ns
전류-역방향 누설 @ Vr3µA @ 200V
작동 온도-접합-40°C ~ 175°C
장착 유형Surface Mount, Wettable Flank
패키지 / 케이스8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지PowerFlat™ (5x6) Dual

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Taiwan Semiconductor Corporation

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다이오드 구성

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

25A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

820mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 35V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Series Connection

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

200mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 40mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

5ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 30V

작동 온도-접합

125°C (Max)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

6CWQ04FN

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

3.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

530mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

2mA @ 40V

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-Pak

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제조업체

GeneSiC Semiconductor

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다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

600A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

750mV @ 300A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 20V

작동 온도-접합

-

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전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 60V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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