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STW13NK60Z

STW13NK60Z

참조 용

부품 번호 STW13NK60Z
PNEDA 부품 번호 STW13NK60Z
설명 MOSFET N-CH 600V 13A TO-247
제조업체 STMicroelectronics
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재고 있음 7,440
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

STW13NK60Z 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STW13NK60Z
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
STW13NK60Z, STW13NK60Z 데이터 시트 (총 페이지: 18, 크기: 489.32 KB)
PDFSTP13NK60Z 데이터 시트 표지
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STW13NK60Z 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈SuperMESH™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)13A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs550mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs92nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2030pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)150W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-247-3
패키지 / 케이스TO-247-3

관심을 가질만한 제품

NTR5103NT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

260mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.5Ohm @ 240mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.81nC @ 5V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

40pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

STP6NC60

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™ II

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

45.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1020pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

125W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

AON6162

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

AlphaSGT™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.1mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

100nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4850pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

215W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-DFN-EP (5x6)

패키지 / 케이스

8-PowerSMD, Flat Leads

IRLI3705NPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

52A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 28A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

98nC @ 5V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3600pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

58W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB Full-Pak

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

AO7404

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

225mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

800mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.57nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

101pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

350mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SC-70-3

패키지 / 케이스

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F863DE474K310Z

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MA2SD2500L

MA2SD2500L

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DIODE SCHOTTKY 15V 200MA SSMINI2

SF-1206F200-2

SF-1206F200-2

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FUSE BOARD MOUNT 2A 63VDC 1206

APT8024JLL

APT8024JLL

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MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227