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STW15NK50Z

STW15NK50Z

참조 용

부품 번호 STW15NK50Z
PNEDA 부품 번호 STW15NK50Z
설명 MOSFET N-CH 500V 14A TO-247
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 2,754
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STW15NK50Z 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STW15NK50Z
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
STW15NK50Z, STW15NK50Z 데이터 시트 (총 페이지: 19, 크기: 498.39 KB)
PDFSTB15NK50ZT4 데이터 시트 표지
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STW15NK50Z 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈SuperMESH™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs340mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs106nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2260pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)160W (Tc)
작동 온도-50°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-247-3
패키지 / 케이스TO-247-3

관심을 가질만한 제품

SIS430DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

35A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.1mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1600pF @ 12.5V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.8W (Ta), 52W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 1212-8

패키지 / 케이스

PowerPAK® 1212-8

JANSR2N7268U

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/603

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

34A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

12V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 34A, 12V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

160nC @ 12V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

U1 (SMD-1)

패키지 / 케이스

3-SMD, No Lead

RTQ020N05TR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

45V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

190mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

150pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

600mW (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TSMT6 (SC-95)

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

DMN2400UFB4-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

750mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

550mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.5nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

36pF @ 16V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

470mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

X2-DFN1006-3

패키지 / 케이스

3-XFDFN

IPD127N06LGBTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12.7mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 80µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

69nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2300pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

136W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3

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MIC2544A-1YMM

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BC560CTA

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AS4C256M16D3B-12BIN

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DMN6075S-7

DMN6075S-7

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MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3