SUD50N04-8M8P-4GE3
참조 용
| 부품 번호 | SUD50N04-8M8P-4GE3 | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | SUD50N04-8M8P-4GE3 | ||||||||||||||||||
| 설명 | MOSFET N-CH 40V 14A TO-252 | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Vishay Siliconix | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 4,683 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 1월 9 - 1월 14 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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SUD50N04-8M8P-4GE3 리소스
| 브랜드 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SUD50N04-8M8P-4GE3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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SUD50N04-8M8P-4GE3 사양
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 시리즈 | TrenchFET® |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 40V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 14A (Ta), 50A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 56nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2400pF @ 20V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 3.1W (Ta), 48.1W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | TO-252, (D-Pak) |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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