SUP70N03-09BP-E3
참조 용
| 부품 번호 | SUP70N03-09BP-E3 |
| PNEDA 부품 번호 | SUP70N03-09BP-E3 |
| 설명 | MOSFET N-CH 30V 70A TO220AB |
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,402 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 4 - 2월 9 (신속 배송 선택) |
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SUP70N03-09BP-E3 리소스
| 브랜드 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SUP70N03-09BP-E3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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SUP70N03-09BP-E3 사양
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 시리즈 | TrenchFET® |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 70A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 19nC @ 5V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1500pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 93W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | TO-220AB |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 13µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 10V Vgs (최대) ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1520pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 42W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PG-TO252-3 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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