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SZBZX84C2V4ET1G

SZBZX84C2V4ET1G

참조 용

부품 번호 SZBZX84C2V4ET1G
PNEDA 부품 번호 SZBZX84C2V4ET1G
설명 DIODE ZENER 2.4V 225MW SOT23-3
제조업체 ON Semiconductor
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SZBZX84C2V4ET1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SZBZX84C2V4ET1G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
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SZBZX84C2V4ET1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
전압-제너 (Nom) (Vz)2.4V
공차±8%
전력-최대225mW
임피던스 (최대) (Zzt)100 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr50µA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If900mV @ 10mA
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)

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공차

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전력-최대

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임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 10V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Rohm Semiconductor

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전압-제너 (Nom) (Vz)

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공차

±3%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

8 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

1.2 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

3.5µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AA (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AA

2M100Z B0G

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제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

100V

공차

±5%

전력-최대

2W

임피던스 (최대) (Zzt)

175 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 76V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AC, DO-15, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AC (DO-15)

MMSZ5238BS-7-F

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

8.7V

공차

±5%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

8 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 6.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

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