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TC1413CPA

TC1413CPA

참조 용

부품 번호 TC1413CPA
PNEDA 부품 번호 TC1413CPA
설명 IC MOSFET DVR 3A HS INV 8DIP
제조업체 Microchip Technology
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재고 있음 7,560
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예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TC1413CPA 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TC1413CPA
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버

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TC1413CPA 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 16V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)3A, 3A
입력 유형Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)20ns, 20ns
작동 온도0°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지8-PDIP

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제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

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구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 16V

논리 전압-VIL, VIH

1.22V, 2.08V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

6A, 6A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-SOIC-EP

IR2131J

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

6

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

250mA, 500mA

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

80ns, 40ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-LCC (J-Lead), 32 Leads

공급자 장치 패키지

44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)

NCV7520FPR2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q100, FLEXMOS™

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

6

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.75V ~ 5.25V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

277ns (Max), 277ns (Max)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-TQFP Exposed Pad

공급자 장치 패키지

32-TQFP-EP (5x5)

TC1427CPA

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 16V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.2A, 1.2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

35ns, 25ns

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

NCP81071CDR2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

1.2V, 1.8V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

5A, 5A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

8ns, 8ns

작동 온도

-40°C ~ 140°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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