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TC4426EMF713

TC4426EMF713

참조 용

부품 번호 TC4426EMF713
PNEDA 부품 번호 TC4426EMF713
설명 IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8DFN
제조업체 Microchip Technology
단가 견적 요청
재고 있음 7,632
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TC4426EMF713 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TC4426EMF713
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버

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  • TC4426EMF713 Distributor

TC4426EMF713 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 18V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2.4V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)1.5A, 1.5A
입력 유형Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)19ns, 19ns
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지8-DFN-S (6x5)

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제조업체

Dialog Semiconductor GmbH

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구동 구성

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채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.75V ~ 5.25V

논리 전압-VIL, VIH

0.4V, 5.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

32µA, 400µA

입력 유형

CMOS

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-TDFN (2x2)

IRS2118PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

High-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

6V, 9.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

290mA, 600mA

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

75ns, 35ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

MAX15025AATB+T

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제조업체

Maxim Integrated

시리즈

Automotive, AEC-Q100

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 28V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

42ns, 30ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

10-WFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

10-TDFN (3x3)

ISL6614ACB-T

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

4

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10.8V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.25A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

26ns, 18ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

14-SOIC

IR21362S

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

3-Phase

드라이버 수

6

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

11.5V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

200mA, 350mA

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

125ns, 50ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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