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TC4426VMF

TC4426VMF

참조 용

부품 번호 TC4426VMF
PNEDA 부품 번호 TC4426VMF
설명 IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8DFN
제조업체 Microchip Technology
단가 견적 요청
재고 있음 5,652
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TC4426VMF 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TC4426VMF
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버

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TC4426VMF 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 18V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2.4V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)1.5A, 1.5A
입력 유형Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)19ns, 19ns
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지8-DFN-S (6x5)

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ON Semiconductor

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구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

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드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.6V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

35V

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 11ns

작동 온도

0°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-DFN (3x3)

MIC4421BN

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

9A, 9A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 24ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

HIP4081AIP

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

4

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9.5V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2.6A, 2.4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

95V

상승 / 하강 시간 (일반)

10ns, 10ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

20-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

20-PDIP

UCC27712QDRQ1

Texas Instruments

제조업체

시리즈

Automotive, AEC-Q100

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

1.5V, 1.6V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.8A, 2.8A

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

700V

상승 / 하강 시간 (일반)

16ns, 10ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

ISL2101AAR3Z

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

1.4V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

114V

상승 / 하강 시간 (일반)

10ns, 10ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

9-VFDFN Exposed Pad

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