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TC4431EOA

TC4431EOA TC4431EOA

참조 용

부품 번호 TC4431EOA
PNEDA 부품 번호 TC4431EOA
설명 IC MOSFET DRIVER 30V 1.5A 8-SOIC
제조업체 Microchip Technology
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TC4431EOA 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TC4431EOA
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버

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TC4431EOA 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
구동 구성High-Side or Low-Side
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 30V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2.4V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)1.5A, 1.5A
입력 유형Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)25ns, 33ns
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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4

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N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-, 4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

8ns, 8ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.7V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.9A, 2.3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

40ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

TC4467COE

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

4

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.2A, 1.2A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

15ns, 15ns

작동 온도

0°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

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Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

7V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.25A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

26ns, 18ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IRS21091PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

290mA, 600mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

100ns, 35ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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