TC4451VMF
참조 용
| 부품 번호 | TC4451VMF |
| PNEDA 부품 번호 | TC4451VMF |
| 설명 | IC MOSFET DVR 12A HS 8DFN |
| 제조업체 | Microchip Technology |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,044 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 14 - 2월 19 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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TC4451VMF 리소스
| 브랜드 | Microchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | TC4451VMF |
| 분류 | 반도체 › 전력 관리 IC › PMIC-게이트 드라이버 |
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TC4451VMF 사양
| 제조업체 | Microchip Technology |
| 시리즈 | - |
| 구동 구성 | Low-Side |
| 채널 유형 | Single |
| 드라이버 수 | 1 |
| 게이트 유형 | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| 전압-공급 | 4.5V ~ 18V |
| 논리 전압-VIL, VIH | 0.8V, 2.4V |
| 전류-피크 출력 (소스, 싱크) | 13A, 13A |
| 입력 유형 | Inverting |
| 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) | - |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 30ns, 32ns |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-VDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 8-DFN-S (6x5) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Synchronous 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급 4V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH 1V, 4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 2A, 2A 입력 유형 Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 14ns, 15ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 8-PDIP |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Synchronous 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 4.5V ~ 8V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 2A, 2A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 30V 상승 / 하강 시간 (일반) 10ns, 10ns 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 PG-VDSON-8 |
제조업체 Linear Technology/Analog Devices 시리즈 - 구동 구성 High-Side 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 1.8V ~ 5.5V 논리 전압-VIL, VIH 0.6V, 1.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) - 입력 유형 Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) - 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 공급자 장치 패키지 SOT-23-6 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 EiceDriver™ 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 3-Phase 드라이버 수 6 게이트 유형 IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급 13V ~ 17.5V 논리 전압-VIL, VIH 1.1V, 1.7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) - 입력 유형 Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 620V 상승 / 하강 시간 (일반) 60ns, 26ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지 PG-DSO-28 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Synchronous 드라이버 수 4 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 10.5V ~ 13.5V 논리 전압-VIL, VIH 2V, 4V; 3V, 6V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 180mA, 200mA 입력 유형 RC Input Circuit 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 550V 상승 / 하강 시간 (일반) - 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 28-SSOP (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지 28-SSOP |
