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TC58CVG0S3HRAIG

TC58CVG0S3HRAIG

참조 용

부품 번호 TC58CVG0S3HRAIG
PNEDA 부품 번호 TC58CVG0S3HRAIG
설명 IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON
제조업체 Toshiba Memory America, Inc.
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TC58CVG0S3HRAIG 리소스

브랜드 Toshiba Memory America, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TC58CVG0S3HRAIG
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
TC58CVG0S3HRAIG, TC58CVG0S3HRAIG 데이터 시트 (총 페이지: 42, 크기: 1,679.35 KB)
PDFTC58CVG0S3HQAIE 데이터 시트 표지
TC58CVG0S3HQAIE 데이터 시트 페이지 2 TC58CVG0S3HQAIE 데이터 시트 페이지 3 TC58CVG0S3HQAIE 데이터 시트 페이지 4 TC58CVG0S3HQAIE 데이터 시트 페이지 5 TC58CVG0S3HQAIE 데이터 시트 페이지 6 TC58CVG0S3HQAIE 데이터 시트 페이지 7 TC58CVG0S3HQAIE 데이터 시트 페이지 8 TC58CVG0S3HQAIE 데이터 시트 페이지 9 TC58CVG0S3HQAIE 데이터 시트 페이지 10 TC58CVG0S3HQAIE 데이터 시트 페이지 11

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  • TC58CVG0S3HRAIG Distributor

TC58CVG0S3HRAIG 사양

제조업체Toshiba Memory America, Inc.
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NAND (SLC)
메모리 크기1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스SPI - Quad I/O
시계 주파수104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간155µs
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지8-WSON (6x8)

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

3MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

SST25VF010A-33-4C-SAE-T

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

SST25

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

33MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20µs

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

AS7C34096A-15JCN

Alliance Memory, Inc.

제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

15ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

36-SOJ

M34M02-DXCT2TP/K

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

IS62WV10248DBLL-55MLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

8Mb (1M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

2.4V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFBGA

공급자 장치 패키지

48-miniBGA (9x11)

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