TC58CVG1S3HRAIG
참조 용
| 부품 번호 | TC58CVG1S3HRAIG |
| PNEDA 부품 번호 | TC58CVG1S3HRAIG |
| 설명 | 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V |
| 제조업체 | Toshiba Memory America, Inc. |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,724 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 8 - 4월 13 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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TC58CVG1S3HRAIG 리소스
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TC58CVG1S3HRAIG 사양
| 제조업체 | Toshiba Memory America, Inc. |
| 시리즈 | - |
| 메모리 유형 | Non-Volatile |
| 메모리 포맷 | FLASH |
| 기술 | FLASH - NAND (SLC) |
| 메모리 크기 | 2Gb (256M x 8) |
| 메모리 인터페이스 | SPI |
| 시계 주파수 | 104MHz |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | - |
| 접근 시간 | - |
| 전압-공급 | 2.7V ~ 3.6V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-WDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 8-WSON (6x8) |
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제조업체 Microchip Technology 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 EPROM 기술 EPROM - OTP 메모리 크기 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 70ns 전압-공급 2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) 공급자 장치 패키지 28-TSOP |
제조업체 IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Asynchronous 메모리 크기 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 15ns 전압-공급 2.375V ~ 2.625V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 48-LFBGA 공급자 장치 패키지 48-CABGA (7x7) |
