TC7920K6-G
참조 용
| 부품 번호 | TC7920K6-G |
| PNEDA 부품 번호 | TC7920K6-G |
| 설명 | MOSFET 2N/2P-CH 200V 12VDFN |
| 제조업체 | Microchip Technology |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,860 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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TC7920K6-G 리소스
| 브랜드 | Microchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | TC7920K6-G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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TC7920K6-G 사양
| 제조업체 | Microchip Technology |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N and 2 P-Channel |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 200V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.4V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 52pF @ 25V |
| 전력-최대 | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 12-VFDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 12-DFN (4x4) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs 30mOhm @ 4.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 39nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1700pF @ 15V 전력-최대 1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
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제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 U-MOSVII FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate, 1.2V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 250mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 42pF @ 10V 전력-최대 150mW (Ta) 작동 온도 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 ES6 |
