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TDA21107

TDA21107

참조 용

부품 번호 TDA21107
PNEDA 부품 번호 TDA21107
설명 IC DRIVER DUAL HS MOSFET 8DSO
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,384
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 12 - 4월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TDA21107 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TDA21107
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
TDA21107, TDA21107 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 304.17 KB)
PDFTDA21107 데이터 시트 표지
TDA21107 데이터 시트 페이지 2 TDA21107 데이터 시트 페이지 3 TDA21107 데이터 시트 페이지 4 TDA21107 데이터 시트 페이지 5 TDA21107 데이터 시트 페이지 6 TDA21107 데이터 시트 페이지 7 TDA21107 데이터 시트 페이지 8 TDA21107 데이터 시트 페이지 9 TDA21107 데이터 시트 페이지 10 TDA21107 데이터 시트 페이지 11

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TDA21107 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈CoreControl™
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Synchronous
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급10.8V ~ 13.2V
논리 전압-VIL, VIH-
전류-피크 출력 (소스, 싱크)-
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)30V
상승 / 하강 시간 (일반)30ns, 40ns
작동 온도0°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지PG-DSO-8

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전압-공급

12.5V ~ 35V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

30A, 30A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

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작동 온도

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장착 유형

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채널 유형

Single

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논리 전압-VIL, VIH

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전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

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700ns, 500ns

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

4

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9.5V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2.6A, 2.4A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

75V

상승 / 하강 시간 (일반)

10ns, 10ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

20-SOIC

MCP14700T-E/SN

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

10ns, 10ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

NCP5109BDR2G

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

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논리 전압-VIL, VIH

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전류-피크 출력 (소스, 싱크)

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입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

200V

상승 / 하강 시간 (일반)

85ns, 35ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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