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TFZGTR3.0B

TFZGTR3.0B

참조 용

부품 번호 TFZGTR3.0B
PNEDA 부품 번호 TFZGTR3-0B
설명 DIODE ZENER 3V 500MW TUMD2
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,698
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 21 - 12월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TFZGTR3.0B 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TFZGTR3.0B
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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TFZGTR3.0B 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)3V
공차-
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)-
전류-역방향 누설 @ Vr-
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-55°C ~ 150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스2-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지TUMD2

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.1V

공차

±2%

전력-최대

225mW

임피던스 (최대) (Zzt)

60 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

SMBJ5350A/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

13V

공차

±10%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

2.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 9.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

SMBJ (DO-214AA)

3EZ5.1D5/TR12

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.1V

공차

±5%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

3.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

1N5372BRLG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

62V

공차

±5%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

42 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 47.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

Axial

VLZ4V3C-GS18

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

4.44V

공차

-

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

40 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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