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THGBMHG8C2LBAIL

THGBMHG8C2LBAIL

참조 용

부품 번호 THGBMHG8C2LBAIL
PNEDA 부품 번호 THGBMHG8C2LBAIL
설명 IC FLASH 256G MMC 153WFBGA
제조업체 Toshiba Memory America, Inc.
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

THGBMHG8C2LBAIL 리소스

브랜드 Toshiba Memory America, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호THGBMHG8C2LBAIL
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
THGBMHG8C2LBAIL, THGBMHG8C2LBAIL 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 310.64 KB)
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THGBMHG8C2LBAIL 사양

제조업체Toshiba Memory America, Inc.
시리즈e•MMC™
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NAND
메모리 크기256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스eMMC
시계 주파수52MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스153-WFBGA
공급자 장치 패키지153-WFBGA (11.5x13)

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제조업체

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시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

12ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

S29JL032J60BHI313

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

JL-J

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

60ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-VFBGA

공급자 장치 패키지

48-FBGA (8.15x6.15)

24LC04BH-E/P

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

4Kb (256 x 8 x 2)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

S25FL256LAGBHI023

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

FL-L

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

256Mb (32M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O, QPI

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-TBGA

공급자 장치 패키지

24-BGA (8x6)

IS46TR16640B-125JBLA1-TR

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제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

1Gb (64M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

20ns

전압-공급

1.425V ~ 1.575V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-TFBGA

공급자 장치 패키지

96-TWBGA (9x13)

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