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TIP102G

TIP102G

참조 용

부품 번호 TIP102G
PNEDA 부품 번호 TIP102G
설명 TRANS NPN DARL 100V 8A TO220AB
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 35,730
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TIP102G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TIP102G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
TIP102G, TIP102G 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 204.12 KB)
PDFTIP100G 데이터 시트 표지
TIP100G 데이터 시트 페이지 2 TIP100G 데이터 시트 페이지 3 TIP100G 데이터 시트 페이지 4 TIP100G 데이터 시트 페이지 5 TIP100G 데이터 시트 페이지 6 TIP100G 데이터 시트 페이지 7

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TIP102G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic2.5V @ 80mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대)50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce1000 @ 3A, 4V
전력-최대2W
주파수-전환-
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220AB

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

75 @ 1A, 2V

전력-최대

625mW

주파수-전환

75MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

600mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

140V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 5V

전력-최대

625mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

KSC5504DTM

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 400mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

4 @ 2A, 1V

전력-최대

75W

주파수-전환

11MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-252AA

BC858B,235

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

전력-최대

250mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

TO-236AB

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Bourns

제조업체

Bourns Inc.

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 200mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

300µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 4V

전력-최대

2W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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TO-220-3

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