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TIP112G

TIP112G

참조 용

부품 번호 TIP112G
PNEDA 부품 번호 TIP112G
설명 TRANS NPN DARL 100V 2A TO220AB
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,892
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 15 - 3월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TIP112G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TIP112G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
TIP112G, TIP112G 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 142.81 KB)
PDFTIP116 데이터 시트 표지
TIP116 데이터 시트 페이지 2 TIP116 데이터 시트 페이지 3 TIP116 데이터 시트 페이지 4 TIP116 데이터 시트 페이지 5 TIP116 데이터 시트 페이지 6 TIP116 데이터 시트 페이지 7 TIP116 데이터 시트 페이지 8

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TIP112G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic2.5V @ 8mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대)2mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce1000 @ 1A, 4V
전력-최대2W
주파수-전환-
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220AB

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

600mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

140V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 5V

전력-최대

625mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

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Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

70V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 3.3A, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

700µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 4A, 4V

전력-최대

115W

주파수-전환

2.5MHz

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-204AA, TO-3

공급자 장치 패키지

TO-3

MPSA06RL

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

전력-최대

625mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

2SD14500SA

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제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 20mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 500mA, 2V

전력-최대

300mW

주파수-전환

200MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

3-SSIP

공급자 장치 패키지

NS-B1

2SA1514KT146S

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

120V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

180 @ 2mA, 6V

전력-최대

200mW

주파수-전환

140MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

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