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TIS97_J35Z

TIS97_J35Z

참조 용

부품 번호 TIS97_J35Z
PNEDA 부품 번호 TIS97_J35Z
설명 TRANS NPN 40V 0.5A TO-92-3
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,848
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 2 - 3월 7 (신속 배송 선택)
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TIS97_J35Z 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TIS97_J35Z
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
TIS97_J35Z, TIS97_J35Z 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 293.56 KB)
PDFTIS97_J35Z 데이터 시트 표지
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TIS97_J35Z 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic-
전류-수집기 차단 (최대)10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce250 @ 100µA, 5V
전력-최대625mW
주파수-전환-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지TO-92-3

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 200mA, 1V

전력-최대

1.4W

주파수-전환

40MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

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WeEn Semiconductors

제조업체

WeEn Semiconductors

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

700V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 150mA, 750mA

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

14 @ 100mA, 5V

전력-최대

2W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

KSC2328AYBU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2V @ 30mA, 1.5A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 500mA, 2V

전력-최대

1W

주파수-전환

120MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

공급자 장치 패키지

TO-92-3

KSC1187OBU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

30mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 2mA, 10V

전력-최대

250mW

주파수-전환

700MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

2SC4935-Y,Q(J

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 500mA, 2V

전력-최대

2W

주파수-전환

80MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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