TK31N60X,S1F
참조 용
| 부품 번호 | TK31N60X,S1F |
| PNEDA 부품 번호 | TK31N60X-S1F |
| 설명 | MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247 |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,336 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 9 - 4월 14 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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TK31N60X 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | TK31N60X,S1F |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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TK31N60X 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | DTMOSIV-H |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 600V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 30.8A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 88mOhm @ 9.4A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.5V @ 1.5mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 65nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±30V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3000pF @ 300V |
| FET 기능 | Super Junction |
| 전력 손실 (최대) | 230W (Tc) |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | TO-247 |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
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제조업체 Transphorm 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss) 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 130mOhm @ 13A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id 2.6V @ 300µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 14nC @ 8V Vgs (최대) ±18V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 760pF @ 400V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 96W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 3-PQFN (8x8) 패키지 / 케이스 3-PowerDFN |
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