TK3R1E04PL,S1X
참조 용
| 부품 번호 | TK3R1E04PL,S1X |
| PNEDA 부품 번호 | TK3R1E04PL-S1X |
| 설명 | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 15,972 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 14 - 2월 19 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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TK3R1E04PL 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | TK3R1E04PL,S1X |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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TK3R1E04PL 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | U-MOSIX-H |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 40V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 100A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 30A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.4V @ 500µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 63.4nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4670pF @ 20V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 87W (Tc) |
| 작동 온도 | 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | TO-220 |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 POWER MOS IV® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 5.25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 130nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2950pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 310W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-247AD 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
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