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TK5A45DA(STA4,Q,M)

TK5A45DA(STA4,Q,M)

참조 용

부품 번호 TK5A45DA(STA4,Q,M)
PNEDA 부품 번호 TK5A45DA-STA4-Q-M
설명 MOSFET N-CH 450V 4.5A TO-220SIS
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 15 - 4월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TK5A45DA(STA4 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TK5A45DA(STA4,Q,M)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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TK5A45DA(STA4 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈π-MOSVII
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)450V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.75Ohm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4.4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs9nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds380pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)30W (Tc)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220SIS
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

200mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

61nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1400pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

48W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

제조업체

IXYS

시리즈

FRFET®, SupreMOS®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

550A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.3mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

595nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

40000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

830W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

24-SMPD

패키지 / 케이스

24-PowerSMD, 21 Leads

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STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

SuperMESH5™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.5nC @ 10V

Vgs (최대)

30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

130pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

60W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I-PAK

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

STP7NM80

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.05Ohm @ 3.25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

620pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

90W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

23A (Ta), 80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.1mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

235nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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FET 기능

-

전력 손실 (최대)

254W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220-3

패키지 / 케이스

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