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TLP130GBF

TLP130GBF

참조 용

부품 번호 TLP130GBF
PNEDA 부품 번호 TLP130GBF
설명 OPTOISO 3.75KV TRANS 6-MFSOP
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 3,562
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TLP130GBF 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TLP130GBF
분류반도체절연체광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력
데이터 시트
TLP130GBF, TLP130GBF 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 274.29 KB)
PDFTLP130(GB-TPR 데이터 시트 표지
TLP130(GB-TPR 데이터 시트 페이지 2 TLP130(GB-TPR 데이터 시트 페이지 3 TLP130(GB-TPR 데이터 시트 페이지 4 TLP130(GB-TPR 데이터 시트 페이지 5 TLP130(GB-TPR 데이터 시트 페이지 6 TLP130(GB-TPR 데이터 시트 페이지 7 TLP130(GB-TPR 데이터 시트 페이지 8 TLP130(GB-TPR 데이터 시트 페이지 9

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TLP130GBF 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
채널 수1
전압-절연3750Vrms
전류 전송 비율 (최소)100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대)600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반)3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반)2µs, 3µs
입력 유형AC, DC
출력 유형Transistor with Base
전압-출력 (최대)80V
전류-출력 / 채널50mA
전압-순방향 (Vf) (통상)1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대)50mA
Vce 포화 (최대)400mV
작동 온도-55°C ~ 100°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
공급자 장치 패키지6-MFSOP, 5 Lead

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Vishay Semiconductor Opto Division

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전압-절연

5300Vrms

전류 전송 비율 (최소)

1000% @ 1mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

4.5µs, 29µs

상승 / 하강 시간 (일반)

3.5µs, 14.5µs

입력 유형

DC

출력 유형

Darlington

전압-출력 (최대)

300V

전류-출력 / 채널

125mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.2V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

1.2V

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

4-SMD

제조업체

CEL

시리즈

NEPOC

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

400% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

3µs, 5µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.17V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

40mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

4-SMD

TLP521-4X

Isocom Components 2004 LTD

제조업체

Isocom Components 2004 LTD

시리즈

-

채널 수

4

전압-절연

5300Vrms

전류 전송 비율 (최소)

50% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

600% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

4µs, 3µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

55V

전류-출력 / 채널

-

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.15V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-30°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

16-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

16-DIP

H11B3S(TB)-V

Everlight Electronics Co Ltd

제조업체

Everlight Electronics Co Ltd

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 1mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

25µs, 18µs

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Darlington with Base

전압-출력 (최대)

55V

전류-출력 / 채널

-

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.2V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

1V

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

6-SMD

4N23U

TT Electronics/Optek Technology

제조업체

TT Electronics/Optek Technology

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

1000VDC

전류 전송 비율 (최소)

60% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

15µs, 15µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

35V

전류-출력 / 채널

-

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.3V (Max)

전류-DC 순방향 (If) (최대)

40mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, No Lead

공급자 장치 패키지

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