TLP383(D4BLLTL,E
참조 용
| 부품 번호 | TLP383(D4BLLTL,E |
| PNEDA 부품 번호 | TLP383-D4BLLTL-E |
| 설명 | OPTOISO 5KV TRANSISTOR SO6L |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,940 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 23 - 4월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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TLP383(D4BLLTL 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | TLP383(D4BLLTL,E |
| 분류 | 반도체 › 절연체 › 광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 |
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- TLP383(D4BLLTL,E Distributor
TLP383(D4BLLTL 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | - |
| 채널 수 | 1 |
| 전압-절연 | 5000Vrms |
| 전류 전송 비율 (최소) | 200% @ 500µA |
| 전류 전송 비율 (최대) | 400% @ 500µA |
| 켜기 / 끄기 시간 (일반) | 3µs, 3µs |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 2µs, 3µs |
| 입력 유형 | DC |
| 출력 유형 | Transistor |
| 전압-출력 (최대) | 80V |
| 전류-출력 / 채널 | 50mA |
| 전압-순방향 (Vf) (통상) | 1.25V |
| 전류-DC 순방향 (If) (최대) | 50mA |
| Vce 포화 (최대) | 300mV |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads |
| 공급자 장치 패키지 | 6-SO |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 채널 수 1 전압-절연 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소) 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대) 300% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반) - 상승 / 하강 시간 (일반) 3µs, 3µs 입력 유형 DC 출력 유형 Transistor 전압-출력 (최대) 40V 전류-출력 / 채널 80mA 전압-순방향 (Vf) (통상) 1.4V (Max) 전류-DC 순방향 (If) (최대) 50mA Vce 포화 (최대) 300mV 작동 온도 -40°C ~ 110°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지 4-SMD |
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