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TLP383(GR-TPL,E

TLP383(GR-TPL,E

참조 용

부품 번호 TLP383(GR-TPL,E
PNEDA 부품 번호 TLP383-GR-TPL-E
설명 OPTOISO 5KV TRANSISTOR SO6L
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 231,264
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TLP383(GR-TPL 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TLP383(GR-TPL,E
분류반도체절연체광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

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TLP383(GR-TPL 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
채널 수1
전압-절연5000Vrms
전류 전송 비율 (최소)100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대)300% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반)3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반)2µs, 3µs
입력 유형DC
출력 유형Transistor
전압-출력 (최대)80V
전류-출력 / 채널50mA
전압-순방향 (Vf) (통상)1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대)50mA
Vce 포화 (최대)300mV
작동 온도-55°C ~ 125°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지6-SO

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EL1110-G

Everlight Electronics Co Ltd

제조업체

Everlight Electronics Co Ltd

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

50% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

600% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

4µs, 3µs

상승 / 하강 시간 (일반)

2µs, 3µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.5V (Max)

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 5 Leads

공급자 장치 패키지

5-SOP

HCPL0530R2

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

2

전압-절연

2500Vrms

전류 전송 비율 (최소)

7% @ 16mA

전류 전송 비율 (최대)

50% @ 16mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

450ns, 500ns

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

20V

전류-출력 / 채널

8mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.45V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

25mA

Vce 포화 (최대)

-

작동 온도

-40°C ~ 85°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

TCLT1001

Vishay Semiconductor Opto Division

제조업체

Vishay Semiconductor Opto Division

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

40% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

80% @ 10mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

6µs, 5µs

상승 / 하강 시간 (일반)

3µs, 4.7µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

70V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.25V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-40°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

4-SOP (2.54mm)

4N25300W

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5300Vrms

전류 전송 비율 (최소)

20% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

2µs, 2µs

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

30V

전류-출력 / 채널

-

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.18V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

100mA

Vce 포화 (최대)

500mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

6-DIP (0.400", 10.16mm)

공급자 장치 패키지

6-DIP

PS2533L-1-V-F3-A

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

NEPOC

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

1500% @ 1mA

전류 전송 비율 (최대)

6500% @ 1mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

100µs, 100µs

입력 유형

DC

출력 유형

Darlington

전압-출력 (최대)

350V

전류-출력 / 채널

150mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.15V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

80mA

Vce 포화 (최대)

1V

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

4-SMD

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