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TLZ6V8C-GS08

TLZ6V8C-GS08

참조 용

부품 번호 TLZ6V8C-GS08
PNEDA 부품 번호 TLZ6V8C-GS08
설명 DIODE ZENER 6.8V 500MW SOD80
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가
1 ---------- $0.6378
500 ---------- $0.6079
1,000 ---------- $0.5780
2,500 ---------- $0.5481
5,000 ---------- $0.5232
10,000 ---------- $0.4983
재고 있음 67,526
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예상 배송 3월 31 - 4월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TLZ6V8C-GS08 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TLZ6V8C-GS08
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
TLZ6V8C-GS08, TLZ6V8C-GS08 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 124.98 KB)
PDFTLZ2V7-GS08 데이터 시트 표지
TLZ2V7-GS08 데이터 시트 페이지 2 TLZ2V7-GS08 데이터 시트 페이지 3 TLZ2V7-GS08 데이터 시트 페이지 4 TLZ2V7-GS08 데이터 시트 페이지 5 TLZ2V7-GS08 데이터 시트 페이지 6 TLZ2V7-GS08 데이터 시트 페이지 7 TLZ2V7-GS08 데이터 시트 페이지 8

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  • TLZ6V8C-GS08 Distributor

TLZ6V8C-GS08 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈Automotive, AEC-Q101
전압-제너 (Nom) (Vz)6.8V
공차-
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)8 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr2µA @ 4V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.5V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
공급자 장치 패키지SOD-80 MiniMELF

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전압-제너 (Nom) (Vz)

3.3V

공차

±1%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

26 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35 (DO-204AH)

1N4730APE3/TR12

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.9V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

9 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

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제조업체

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시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

2.4V

공차

±1%

전력-최대

250mW

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

TO-236AB

JAN1N4110C-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/435

전압-제너 (Nom) (Vz)

16V

공차

±2%

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 12.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35 (DO-204AH)

PLZ33D-G3/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

33V

공차

±3%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

65 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

200nA @ 25V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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