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TPC6503(TE85L,F,M)

TPC6503(TE85L,F,M)

참조 용

부품 번호 TPC6503(TE85L,F,M)
PNEDA 부품 번호 TPC6503-TE85L-F-M
설명 X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 3,006
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TPC6503(TE85L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TPC6503(TE85L,F,M)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일

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  • TPC6503(TE85L,F,M) Distributor

TPC6503(TE85L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈U-MOSVII
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic120mV @ 10mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce400 @ 150mA, 2V
전력-최대1.6W
주파수-전환-
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지VS-6 (2.9x2.8)

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350V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 4mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

2µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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전력-최대

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주파수-전환

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작동 온도

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

300mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 15mA, 150mA

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

전력-최대

1W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

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제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

70V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 3.3A, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

700µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 4A, 4V

전력-최대

115W

주파수-전환

2.5MHz

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

850mV @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

180 @ 500mA, 2V

전력-최대

500mW

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작동 온도

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