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TPC8038-H(TE12L,Q)

TPC8038-H(TE12L,Q)

참조 용

부품 번호 TPC8038-H(TE12L,Q)
PNEDA 부품 번호 TPC8038-H-TE12L-Q
설명 MOSFET N-CH 30V 12A SOP8 2-6J1B
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
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TPC8038-H(TE12L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TPC8038-H(TE12L,Q)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
TPC8038-H(TE12L, TPC8038-H(TE12L 데이터 시트 (총 페이지: 63, 크기: 1,617.96 KB)
PDFTPCP8203(TE85L 데이터 시트 표지
TPCP8203(TE85L 데이터 시트 페이지 2 TPCP8203(TE85L 데이터 시트 페이지 3 TPCP8203(TE85L 데이터 시트 페이지 4 TPCP8203(TE85L 데이터 시트 페이지 5 TPCP8203(TE85L 데이터 시트 페이지 6 TPCP8203(TE85L 데이터 시트 페이지 7 TPCP8203(TE85L 데이터 시트 페이지 8 TPCP8203(TE85L 데이터 시트 페이지 9 TPCP8203(TE85L 데이터 시트 페이지 10 TPCP8203(TE85L 데이터 시트 페이지 11

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TPC8038-H(TE12L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈U-MOSV-H
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)12A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs11.4mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs21nC @ 10V
Vgs (최대)-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2150pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)-
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-SOP (5.5x6.0)
패키지 / 케이스8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.6A (Ta), 26A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

59.9mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.9V @ 150µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

48nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2290pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

160A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

270nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

15750pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.8W (Ta), 220W (Tc)

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-263-7

패키지 / 케이스

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

APT58M50J

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

58A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

65mOhm @ 42A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

340nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

540W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

ISOTOP®

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

FDD8444-F085P

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

116nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6195pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

153W (Ta)

작동 온도

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기술

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드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

75A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

205nC @ 20V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

270W (Tc)

작동 온도

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