TPC8113(TE12L,Q)
참조 용
| 부품 번호 | TPC8113(TE12L,Q) |
| PNEDA 부품 번호 | TPC8113-TE12L-Q |
| 설명 | MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,258 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 1월 21 - 1월 26 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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TPC8113(TE12L 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | TPC8113(TE12L,Q) |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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- TPC8113(TE12L,Q) Distributor
TPC8113(TE12L 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | P-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 11A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 5.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 107nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4500pF @ 10V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 1W (Ta) |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SOP (5.5x6.0) |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 EF FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 32A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 97mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 134nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2568pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 250W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220AB 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
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