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TPC8208(TE12L,Q,M)

TPC8208(TE12L,Q,M)

참조 용

부품 번호 TPC8208(TE12L,Q,M)
PNEDA 부품 번호 TPC8208-TE12L-Q-M
설명 MOSFET 2N-CH 20V 5A SOP8
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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TPC8208(TE12L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TPC8208(TE12L,Q,M)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
TPC8208(TE12L, TPC8208(TE12L 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 224.48 KB)
PDFTPC8208(TE12L 데이터 시트 표지
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  • TPC8208(TE12L,Q,M) Distributor

TPC8208(TE12L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs50mOhm @ 2.5A, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id1.2V @ 200µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs9.5nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds780pF @ 10V
전력-최대450mW
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP (5.5x6.0)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.7A, 500mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

16pF @ 50V, 7pF @ 50V

전력-최대

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

9-VFBGA

공급자 장치 패키지

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FDG6301N-F085

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제조업체

ON Semiconductor

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

220mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4Ohm @ 220mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9.5pF @ 10V

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88 (SC-70-6)

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Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

105mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

26nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

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FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21nC @ 10V

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