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TPCA8009-H(TE12L,Q

TPCA8009-H(TE12L,Q

참조 용

부품 번호 TPCA8009-H(TE12L,Q
PNEDA 부품 번호 TPCA8009-H-TE12L-Q
설명 MOSFET N-CH 150V 7A 8-SOPA
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TPCA8009-H(TE12L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TPCA8009-H(TE12L,Q
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
TPCA8009-H(TE12L, TPCA8009-H(TE12L 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 208.26 KB)
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TPCA8009-H(TE12L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs350mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs10nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds600pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.6W (Ta), 45W (Tc)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-SOP Advance (5x5)
패키지 / 케이스8-PowerVDFN

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

36mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

335pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.25W (Ta), 2.1W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.3A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

51nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1530pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

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TrenchFET®

FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.8nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

445pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.5W (Ta), 2.78W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.8A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

75mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

46nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

825pF @ 25V

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전력 손실 (최대)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 150µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

362nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

17270pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

214W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

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