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TPCA8064-H,LQ(CM

TPCA8064-H,LQ(CM

참조 용

부품 번호 TPCA8064-H,LQ(CM
PNEDA 부품 번호 TPCA8064-H-LQ-CM
설명 MOSFET N-CH 30V 20A 8SOP-ADV
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TPCA8064-H 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TPCA8064-H,LQ(CM
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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TPCA8064-H 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈U-MOSVII-H
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)20A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs8.2mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.3V @ 200µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs23nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1900pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.6W (Ta), 32W (Tc)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-SOP Advance (5x5)
패키지 / 케이스8-PowerVDFN

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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시리즈

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

530mA (Tj)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2V, 5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.3Ohm @ 500mA, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

200pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

32A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

800pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

50W (Tc)

작동 온도

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Surface Mount

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FET 유형

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기술

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드레인-소스 전압 (Vdss)

300V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14.4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

290mOhm @ 7.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1360pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.13W (Ta), 147W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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Vgs (th) (최대) @ Id

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±16V

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FET 기능

-

전력 손실 (최대)

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