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TPCA8A04-H(TE12L,Q

TPCA8A04-H(TE12L,Q

참조 용

부품 번호 TPCA8A04-H(TE12L,Q
PNEDA 부품 번호 TPCA8A04-H-TE12L-Q
설명 MOSFET N-CH 30V 44A 8SOP ADV
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TPCA8A04-H(TE12L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TPCA8A04-H(TE12L,Q
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
TPCA8A04-H(TE12L, TPCA8A04-H(TE12L 데이터 시트 (총 페이지: 63, 크기: 1,617.96 KB)
PDFTPCP8203(TE85L 데이터 시트 표지
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TPCA8A04-H(TE12L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈U-MOSV-H
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)44A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs59nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds5700pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)-
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-SOP Advance (5x5)
패키지 / 케이스8-PowerVDFN

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ON Semiconductor

제조업체

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시리즈

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FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.8A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

560pF @ 15V

FET 기능

-

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장착 유형

Surface Mount

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13A (Ta), 93A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

49.4nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4850pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

930mW (Ta), 48W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN, 5 Leads

IRFS3107TRL7PP

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

240A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.6mOhm @ 160A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

240nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9200pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

370W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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시리즈

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

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12A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

720mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

48nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2150pF @ 25V

FET 기능

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전력 손실 (최대)

278W (Tc)

작동 온도

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10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

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전력 손실 (최대)

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